Mosfet | MERCATEO (Página 20/724)

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MOSFET Vishay SISS5110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55,9 A, 1212-8S de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo d...

Vishay

SISS5110DN-T1-GE3

€ 2.997,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Infineon AUIRLR3410TRL, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Nú...

Infineon

AUIRLR3410TRL

€ 2.994,00*
por 3.000 unidades

MOSFET onsemi FDMS2572, VDSS 150 V, ID 27 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispos...

onsemi

FDMS2572

€ 2.994,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Infineon AUIRFR2407TRL, VDSS 75 V, ID 42 A, D2PAK (TO-263) (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 42 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 75 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

AUIRFR2407TRL

€ 2.991,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Infineon BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, MG-WDSON-2 de 7 pines (1 oferta)

La gama Infineon de OptiMOS es líder del mercado en soluciones muy eficientes para generación de energía (por ejemplo, microinversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomu...

Infineon

BSB104N08NP3GXUSA1

€ 2.985,00*
por 5.000 unidades

Infineon BSC026N04LS transistore 30 V (1 oferta)

Infineon

BSC026N04LSATMA1

€ 2.980,00*
por 5.000 unidades

MOSFET Infineon IMZA120R040M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = ...

Infineon

IMZA120R040M1HXKSA1

€ 2.976,72*
por 240 unidades

MOSFET STMicroelectronics STB24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB24NM60N

€ 2.964,00*
por 1.000 unidades

Infineon BSZ146N10LS5 transistore 100 V (1 oferta)

Infineon

BSZ146N10LS5ATMA1

€ 2.960,00*
por 5.000 unidades

Infineon BSC014NE2LSI transistore 75 V (1 oferta)

Infineon

BSC014NE2LSIATMA1

€ 2.950,00*
por 5.000 unidades

Infineon BSC12DN20NS3 G transistore 200 V (1 oferta)

Infineon

BSC12DN20NS3GATMA1

€ 2.950,00*
por 5.000 unidades

MOSFET STMicroelectronics STD65N55F3, VDSS 55 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STD65N55F3

€ 2.947,50*
por 2.500 unidades

MOSFET Infineon BSZ039N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 102 A, PQFN 3 x 3 FL de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 102 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Nú...

Infineon

BSZ039N06NSATMA1

€ 2.935,00*
por 5.000 unidades

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR, VDSS 40 V, ID 48 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta)

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...

Taiwan Semiconductor

TSM110NB04DCR

€ 2.905,00*
por 2.500 unidades

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM250NB06DCR, VDSS 60 V, ID 30 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta)

Taiwan Semiconductor

TSM250NB06DCR

€ 2.905,00*
por 2.500 unidades

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