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MOSFET STMicroelectronics STB24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1687458
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STB24NM60N
EAN/GTIN:
     5059042329155
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
MDmesh
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
190 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
125 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.75mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1687458, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STB24NM60N
Resumen de condiciones1
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Precio
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