Mosfet | MERCATEO (Página 11/797)

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MOSFET Nexperia PMV45EN2R, VDSS 30 V, ID 5,1 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, hasta 30V

Nexperia

PMV45EN2R

a partir de € 0,0771*
por unidad

MOSFET Infineon IRLML6346TRPBF, VDSS 30 V, ID 3,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...

Infineon

IRLML6346TRPBF

a partir de € 0,0772*
por unidad

MOSFET onsemi NTE4151PTG, VDSS 20 V, ID 760 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

onsemi

NTE4151PT1G

a partir de € 0,0776*
por unidad

MOSFET onsemi BS170-D26Z, TO-92 de 3 pines (3 ofertas)

MOSFET, Small Signal, 500 mA, 60 VApplications This product is general usage and suitable for many different applications

onsemi

BS170-D26Z

a partir de € 0,078*
por unidad

MOSFET Nexperia NX3008NBKS,115, VDSS 30 V, ID 350 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (3 ofertas)

MOSFET de canal N doble, Nexperia

Nexperia

NX3008NBKS,115

a partir de € 0,0781*
por unidad

MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, config. Simple (5 ofertas)

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...

onsemi

2N7000TA

a partir de € 0,0782*
por unidad

Infineon IRLML9301 transistore 200 V (5 ofertas)

Infineon

IRLML9301TRPBF

a partir de € 0,0797*
por unidad

MOSFET Nexperia PMV40UN2R, VDSS 30 V, ID 4,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N, hasta 30V

Nexperia

PMV40UN2R

a partir de € 0,0797*
por unidad

MOSFET Infineon BSS169IXTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines (2 ofertas)

El Infineon BSS169I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...

Infineon

BSS169IXTSA1

a partir de € 0,08*
por unidad

Infineon BSS83P transistore 60 V (3 ofertas)

Infineon

BSS83PH6327XTSA1

a partir de € 0,08*
por unidad

MOSFET Nexperia NX1029X,115, VDSS 50 V, 60 V, ID 170 mA, 330 mA, SOT-666 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas)

MOSFET de canal N/P doble, Nexperia

Nexperia

NX1029X,115

a partir de € 0,0808*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMP22D5UDA-7B, VDSS 20 V, ID 350 mA, X2-DFN0806-6 (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 350 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Diodes

DMP22D5UDA-7B

a partir de € 0,081*
por unidad

Infineon BSS806N transistore 20 V (4 ofertas)

Infineon

BSS806NH6327XTSA1

a partir de € 0,081*
por unidad

Infineon BSV236SP transistore 20 V (3 ofertas)

Infineon

BSV236SPH6327XTSA1

a partir de € 0,081*
por unidad

MOSFET Infineon SN7002WH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 230 mA, PG-SOT-323 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-SOT-323 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

SN7002WH6327XTSA1

a partir de € 0,081*
por unidad

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