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MOSFET Infineon IRLML6346TRPBF, VDSS 30 V, ID 3,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7377234
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRLML6346TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043893723
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
80 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.5V
Disipación de Potencia Máxima:
1,3 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-12 V, +12 V
Longitud:
3.04mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Relé MOSFET, Relés MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 7377234, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRLML6346TRPBF
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