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MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04CR, VDSS 40 V, ID 644 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 644 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PDFN56 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,5 mΩ Modo de Canal = Mejor...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04CR
€ 4.637,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04CR, VDSS 40 V, ID 644 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04CR
a partir de € 1,765*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04LCR, VDSS 40 V, ID 161 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 161 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,5 mΩ Modo de Canal = Mejora Tensión de u...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04LCR
€ 4.750,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04LCR, VDSS 40 V, ID 161 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04LCR
a partir de € 1,809*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04CR
€ 3.675,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 121 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 3,3 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de ...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04CR
a partir de € 1,393*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04LCR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04LCR
€ 3.635,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04LCR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 121 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 3,3 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de ...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04LCR
a partir de € 1,39*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM036N03PQ56, VDSS 30 V, ID 124 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 124 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 3,6 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de ...
Taiwan Semiconductor
TSM036N03PQ56
€ 2.045,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM036N03PQ56, VDSS 30 V, ID 124 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM036N03PQ56
a partir de € 0,778*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM045NB06CR, VDSS 60 V, ID 104 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 104 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de um...
Taiwan Semiconductor
TSM045NB06CR
€ 4.775,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM045NB06CR, VDSS 60 V, ID 104 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM045NB06CR
a partir de € 1,818*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR, VDSS 60 V, ID 107 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM048NB06LCR
€ 4.750,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR, VDSS 60 V, ID 107 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 107 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 4,8 mΩ Modo de Canal = Mejora Tensión de u...
Taiwan Semiconductor
TSM048NB06LCR
a partir de € 1,809*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM055N03EPQ56, VDSS 30 V, ID 80 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PDFN56 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 8,5 mΩ Modo de Canal = Mejora...
Taiwan Semiconductor
TSM055N03EPQ56
€ 1.767,50*
por 2.500 unidades
 
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