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MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2169652
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TSM033NB04CR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 121 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Serie = TSM025
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 3,3 m.Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Material del transistor = Silicio
Más información:
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
121 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
PDFN56
Serie:
TSM025
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3,3 m.Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2169652, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Taiwan Semiconductor, TSM033NB04CR
Resumen de condiciones1
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