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MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmi...
ST Microelectronics
SCT20N120H
a partir de € 9,643*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión ...
ST Microelectronics
SCT30N120
a partir de € 14,19*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión ...
ST Microelectronics
SCT30N120
a partir de € 18,058*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 55m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
a partir de € 9,02*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH35 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dren...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
a partir de € 11,861*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resisten...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
a partir de € 9,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (1 oferta) 
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispo...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
a partir de € 12,366*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH40N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
a partir de € 11,989*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
a partir de € 13,573*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH60N120G2-7, VDSS 1.200 V, ID 60 A, H2PAK-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
a partir de € 19,868*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH60N120G2-7, VDSS 1.200 V, ID 60 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
a partir de € 41,61*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH70N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
a partir de € 28,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
a partir de € 33,017*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH90 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dre...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
a partir de € 20,77*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por ár...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
a partir de € 22,513*
por unidad
 
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