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MOSFET STMicroelectronics SCTH60N120G2-7, VDSS 1.200 V, ID 60 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
a partir de € 41,61*
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MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH70N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
a partir de € 28,64*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
a partir de € 33,017*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH90 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dre...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
a partir de € 20,71*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por ár...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
a partir de € 22,513*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PowerFLAT 8 x 8 HV Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines =...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
a partir de € 11,87*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (1 oferta) 
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
a partir de € 12,38*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTL90N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Dre...
ST Microelectronics
SCTL90N65G2V
a partir de € 21,23*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTL90N65G2V
a partir de € 28,394*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 45m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
a partir de € 9,73*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2V, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTW35 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máx...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
a partir de € 11,772*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
a partir de € 13,95*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
a partir de € 16,217*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
a partir de € 21,83*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
a partir de € 47,184*
por unidad
 
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