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  IGBT (1.553 artículos)

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Módulo transistor IGBT, SKM200GB12F4, 200 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente
Semikron
SKM200GB12F4
a partir de € 2.317,452*
por 12 unidades
 
 envase
IGBT, RGWSX2TS65DGC13, 104 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 104 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 288 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
€ 2.308,20*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF600R12KE4EBOSA1, N-Canal, 600 A, 1.200 V, 62 mm, 7-Pines 2 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Configuración = Emisor común Tipo de Canal = N ...
Infineon
FF600R12KE4EBOSA1
€ 2.275,10*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FZ1800R45HL4S7BPSA1, 1,8 kA, 4.500 V, AG-IHVB190 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 4.500 V Disipación de Potencia Máxima = 4000 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4S7BPSA1
€ 2.166,32*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS150R12KT3BOSA1, 200 A, 1200 V 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Número de transistores = 6
Infineon
FS150R12KT3BOSA1
€ 2.145,51*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.200 V, DIP, 39-Pines 6 (1 oferta) 
EL on Semiconductor NFAM0512L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado de− compuesto por un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de t...
onsemi
NFAM0512L5BT
€ 2.117,88*
por 90 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FZ1800R45HL4BPSA1, 1,8 kA, 4.500 V, AG-IHVB190 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 4.500 V Disipación de Potencia Máxima = 4000 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4BPSA1
€ 2.073,179*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FF1800R17IP5BPSA1, N-Canal, 1,8 kA, 1700 V, AG-PRIME3+ Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 1,8 kW Tipo de Encapsulado = AG-PRIME3+ Ti...
Infineon
FF1800R17IP5BPSA1
€ 2.058,42*
por 2 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM450DY-24T #300G, N-Canal, 450, 1.200 V, Módulo 2 Medio puente doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Mo...
Mitsubishi
CM450DY-24T 300G
a partir de € 2.025,60*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, PM50CG1B120#300G, N-Canal, 50, 1.200 V, Módulo 6 Trifásico (1 oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V Intelligent Module Power tiene un IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis controladores por módulo. Tiene 50 A de corriente continua máxima de colector y en es...
Mitsubishi
PM50CG1B120300G
a partir de € 2.018,87*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 75 A, 1200 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7
Infineon
FP75R12KT4B11BOSA1
€ 1.980,48*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 355 W Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo ...
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
a partir de € 1.964,51*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, SKM150GB12F4G, 150 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente
Semikron
SKM150GB12F4G
a partir de € 1.958,436*
por 12 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FP75R12KT4BOSA1, 75 A, 1200 V, EconoPIM 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Tipo de Encapsulado = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
€ 1.955,86*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF1500R17IP5BPSA1, N-Canal, 1,5 kA, 1700 V, PRIME3+, 10-Pines 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,5 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = PRIME3+ Tipo d...
Infineon
FF1500R17IP5BPSA1
€ 1.926,374*
por 2 unidades
 
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