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Módulo IGBT, FF600R12KE4EBOSA1, N-Canal, 600 A, 1.200 V, 62 mm, 7-Pines 2 Emisor común


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2184338
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF600R12KE4EBOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V
Número de transistores = 2
Configuración = Emisor común
Tipo de Canal = N
Conteo de Pines = 7
Configuración de transistor = Emisor común
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
600 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
20 mW
Número de transistores:
2
Configuración:
Emisor común
Tipo de Encapsulado:
62 mm
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
7
Configuración de transistor:
Emisor común
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2184338, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF600R12KE4EBOSA1
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