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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; en cascada; 650V; 23A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-UJ3C065080K3S
Fabricante:
     Qorvo (UnitedSiC)
N.º fabricante:
     UJ3C065080K3S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Transistor de efecto de campo de un...
JFET
Fabricante: Qorvo (UnitedSiC)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 23A
Resistencia en estado de transferencia: 80mΩ
Tipo de transistor: N-JFET/N-MOSFET
Poder disipado: 190W
Polarización: unipolar
Versión: ESD
Carga de puerta: 51nC
Tecnología: SiC
Clase de transistor: en cascada
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 65A
Resumen de condiciones1
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a partir de 3000 unidades
€ 5,82*
€ 7,04
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.