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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STWA65N65DM2AG
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STWA65N65DM2AG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 38A
Resistencia en estado de transferencia: 50mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 446W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 0,12µC
Tecnología: MDmesh™ DM2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 240A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.