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Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-STP11NM60FD
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP11NM60FD
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 7A
Resistencia en estado de transferencia: 0,45Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 160W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Versión: ESD
Tecnología: FDmesh™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
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