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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -16A; Idm: -50A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SISA35DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISA35DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -16A
Resistencia en estado de transferencia: 30mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 15W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 42nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -50A
Resumen de condiciones1
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a partir de 100 unidades
€ 0,283*
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a partir de 500 unidades
€ 0,253*
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por unidad
a partir de 1000 unidades
€ 0,243*
€ 0,29403
por unidad
a partir de 100000 unidades
€ 0,203*
€ 0,24563
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.