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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; IPAK,TO251


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHU6N62E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHU6N62E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: IPAK;TO251
Tensión drenaje-fuente: 620V
Corriente del drenaje: 4A
Resistencia en estado de transferencia: 0,9Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 78W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 34nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 12A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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