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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHJ7N65E-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHJ7N65E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 5A
Resistencia en estado de transferencia: 598mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 96W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 44nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 17A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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