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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHG21N60EF-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG21N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO247AC
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 14A
Resistencia en estado de transferencia: 176mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 227W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 84nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 53A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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