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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0,98A; 36W; DPAK,TO252


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHFR1N60A-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHFR1N60A-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
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Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK;TO252
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 0,98A
Resistencia en estado de transferencia: 7Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 36W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 14nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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