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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4,8A; Idm: -27A; 60W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHF9520S-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHF9520S-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;TO263
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -4,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 60W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 18nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -27A
Resumen de condiciones1
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Precio
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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