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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHB15N65E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB15N65E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;TO263
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 10A
Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 34W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 96nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 38A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.