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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SI2319DS-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2319DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -40V
Corriente del drenaje: -3A
Resistencia en estado de transferencia: 0,13Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 17nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -12A
Resumen de condiciones1
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€ 0,32*
€ 0,39
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.