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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -108A; 1,7W; DSBGA9


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-CSD22206WT
Fabricante:
     Texas Instruments
N.º fabricante:
     CSD22206WT
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS
Montaje: SMD
Carcasa: DSBGA9
Tensión drenaje-fuente: -8V
Corriente del drenaje: -5A
Resistencia en estado de transferencia: 9,1mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,7W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Tecnología: NexFET™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±6V
Corriente del drenaje en impulso: -108A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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