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Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-APT75GP120JDQ3
Fabricante:
     Microchip Technology
N.º fabricante:
     APT75GP120JDQ3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistores
Transistor
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Carcasa: SOT227B
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 57A
Corriente de colector en impulso: 300A
Poder disipado: 543W
Clase de empaquetado: tubo
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Tecnología: POWER MOS 7®
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 5 unidades
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€ 66,89
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a partir de 10 unidades
€ 50,34*
€ 60,91
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a partir de 20 unidades
€ 46,37*
€ 56,11
por unidad
a partir de 3000 unidades
€ 42,16*
€ 51,01
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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