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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-APT28M120B2
Fabricante:
     Microchip Technology
N.º fabricante:
     APT28M120B2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaje: THT
Carcasa: TO247MAX
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 18A
Resistencia en estado de transferencia: 530mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1135W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 300nC
Tecnología: POWER MOS 8®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 104A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.