STMICROELECTRONICS STB30N80K5 MOSFET, CANAL N, 800V, 24A, TO-263

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.15 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Drenaje Continua Id 24 A Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 250 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)