STMICROELECTRONICS STS10P3LLH6 MOSFET, CANAL P, 30V, 12.5A, 150°C, 2.7W

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.01 ohm Gama de Producto STripFET H6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Drenaje Continua Id 12.5 A Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 2.7 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)