STMICROELECTRONICS STD16N50M2 MOSFET, CANAL N, 500V, 13A, 150°C, 110W

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.24 ohm Gama de Producto MDmesh M2 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Drenaje Continua Id 13 A Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 500 V Disipación de Potencia 110 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)