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STMICROELECTRONICS STP36N60M6 MOSFET, CANAL N, 600V, 30A, 150°C, 208W


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N.º art.:
     6368-2987017
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP36N60M6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.085 ohm Gama de Producto MDmesh M6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 208 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, STMICROELECTRONICS, STP36N60M6, 2987017, 298-7017
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