STMICROELECTRONICS STP9N60M2 MOSFET, CANAL N, 600V, 5.5A, TO-220AB

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.72 ohm Gama de Producto MDmesh II Plus Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Drenaje Continua Id 5.5 A Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 60 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)