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IGBT, IKW08T120FKSA1, N-Canal, 16 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8922129
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKW08T120FKSA1
EAN/GTIN:
     5059043092003
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V. Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado. Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V VCEsat muy baja Pérdidas de desconexión bajas Corriente de recuperación de cortocircuito EMI bajo Temperatura de conexión máxima de 175 °C
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
16 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
70 W
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Velocidad de Conmutación:
20kHz
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Energía nominal:
2.28mJ
Capacitancia de puerta:
600pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 8922129, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKW08T120FKSA1
Resumen de condiciones1
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Neto
Bruto
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€ 12,00*
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Accesorios
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Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
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Accesorios
Convertidor dc-dc 3W, Salida 5V dc, 120mA, 0.1
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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