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MOSFET Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, USM de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7603114
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     2SK1829(TE85L,F)
EAN/GTIN:
     5059045844839
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
50 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
USM
Serie:
2SK
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
40 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.5V
Disipación de Potencia Máxima:
100 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-10 V, +10 V
Longitud:
2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, 7603114, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, 2SK1829(TE85L,F)
Resumen de condiciones1
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