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IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-7545409
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKW50N60TFKSA1
EAN/GTIN:
     5059043084527
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V. Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado. Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V VCEsat muy baja Pérdidas de desconexión bajas Corriente de recuperación de cortocircuito EMI bajo Temperatura de conexión máxima de 175 °C
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
333 W
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
16.03 x 21.1 x 5.16mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 7545409, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKW50N60TFKSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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Tipo
Imagen
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Fabricante/N.º
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