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Módulo tiristor doble IGBT, VS-VSKT162/12PBF, 1200V, 160A, 270mA, INT-A-PAK, 7-Pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-3958384
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     VSKT162/12PBF
EAN/GTIN:
     5059040918221
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Tiristores
Tiristor
Módulo: tiristores
Homologación UL, archivo E78996. Tiristor/tiristor de la serie VS-VSKT, módulos INT-A-PAK, Vishay Semiconductor. Configuración de dos tiristores (SCR) Tensión de aislamiento de la base de metal de 3500 V ;sub>RMS ;/sub> Encapsulado estándar industrial INT-A-PAK Alta capacidad de absorción de transitorios
Más información:
Corriente de Encendido Medio Nominal:
160A
Tipo de Tiristor:
IGBT
Tipo de Encapsulado:
INT-A-PAK
Tensión Inversa de Pico Repetitiva:
1200V
Corriente Nominal de Supresión:
5.1kA
Tipo de Montaje:
Montaje en panel
Corriente Máxima de Disparo de Puerta:
270mA
Tensión Máxima de Disparo de Puerta:
4V
Corriente Máxima de Retención:
200mA
Conteo de Pines:
7
Dimensiones:
94 x 35 x 30mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+125 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Tensión de Encendido de Pico:
1.54V
Tensión de Bloqueo Directa de Pico Repetitiva:
1200V
Otros conceptos de búsqueda: Módulos: tiristores, Transistores, Transistor, transistor igbt, 3958384, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, VSKT16212PBF
Resumen de condiciones1
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Tipo
Imagen
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Fabricante/N.º
Precio
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