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IGBT, STGWA20H65DFB2, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2067210
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STGWA20H65DFB2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Número de transistores = 1
Tipo de Encapsulado = TO-247
Conteo de Pines = 3
Configuración de transistor = Simple
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
147 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Otros conceptos de búsqueda: 2067210, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, STMicroelectronics, STGWA20H65DFB2
Resumen de condiciones1
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