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  stmicroelectronics  (16.608 ofertas entre 5.985.285 artículos)

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STMICROELECTRONICS STD15N50M2AG MOSFET AEC-Q101, CANAL N, 500V, 10A, 85W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.336 ohm Gama de Producto MDmesh M2 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
ST Microelectronics
STD15N50M2AG
€ 3,15*
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IGBT, STGYA50H120DF2, 50 A, 1200 V, Max247 long leads 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 535 W Tipo de Encapsulado = Max247 long leads
ST Microelectronics
STGYA50H120DF2ST
€ 5,922*
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Kit de detección Discovery Kit With STM32U5G9ZJ MCU de STMicroelectronics, con núcleo ARM Cortex M33 (1 oferta) 
Clasificación = Kit de detección Nombre del kit = Discovery Kit With STM32U5G9ZJ MCU Tecnología = Flash Núcleo del Dispositivo = ARM Cortex M33 Nombre de familia del procesador = ARM
ST Microelectronics
STM32U5G9J-DK2
€ 75,25*
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MOSFET STMicroelectronics STD5N60DM2, VDSS 600 V, ID 3,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
STD5N60DM2
€ 0,424*
por unidad
 
 unidad
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IGBT, STGSB200M65DF2AG, NPN-Canal, 200 A, 650 V, ECOPACK, 9-Pines 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = ECOPACK Tipo de...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
€ 14,127*
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STMICROELECTRONICS STD16N65M2 MOSFET, CANAL N, 650V, 11A, TO-252 (1 oferta) 
Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Corriente de Drenaje Continua Id 11 A Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 110 W Calificació...
ST Microelectronics
STD16N65M2
€ 2,68*
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IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 108 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Conteo de...
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
€ 3,577*
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STMICROELECTRONICS STD4N62K3 MOSFET, N CH, 620V, 3.8A, DPAK (2 ofertas) 
Disipación de Potencia 70 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.75 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Dren...
ST Microelectronics
STD4N62K3
€ 1,00*
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IGBT, STGYA75H120DF2, 150 A, 1200 V, Max247, 3-Pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 750 W Tipo de Encapsulado = Max247 Tipo de...
ST Microelectronics
STGYA75H120DF2
€ 6,926*
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STMICROELECTRONICS STD5N95K5 MOSFET, CANAL N, 950V, 3.5A, 150°C, 70W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Mon...
ST Microelectronics
STD5N95K5
€ 2,07*
por unidad
 
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Kit de detección Electronic Speed Controller Discovery Kit de STMicroelectronics, con núcleo ARM Cortex M4 (3 ofertas) 
El kit de detección B-G431B-ESC1 se basa en el microcontrolador STM32G431CB, el controlador L6387 y los MOSFET de alimentación STL180N6F7. Se compone de una placa de alimentación principal y una pl...
ST Microelectronics
B-G431B-ESC1
€ 18,454*
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IGBT, STGW75H65DFB2-4, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1 (3 ofertas) 
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de ...
ST Microelectronics
STGW75H65DFB2-4
€ 5,348*
por unidad
 
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STMICROELECTRONICS STD4NK50ZT4 MOSFET, CANAL N, 500V, 3A, TO-252-3 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Mon...
ST Microelectronics
STD4NK50ZT4
€ 2,51*
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IGBT, STGWA40IH65DF, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Emisor común (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 238 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
ST Microelectronics
STGWA40IH65DF
€ 2,669*
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100%
STMICROELECTRONICS STD5NM50AG MOSFET, CANAL N, 500V, 7.5A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.7 ohm Gama de Producto MDmesh Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pin...
ST Microelectronics
STD5NM50AG
€ 2,72*
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