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| N.º art.:
CIES9-9483680 N.º fabricante:
TS512MSK64V3N-I EAN/GTIN:
760557820369 |
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| Más información: Características | Memoria interna | 4 GB | | Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 4 GB | | Tipo de memoria interna | DDR3 | | Velocidad de memoria del reloj | 1333 MHz | | Componente para | Portátil | | Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM | | Latencia CAS | 9 | | Ancho de datos | 64 bit | | Clasificación de memoria | 2 | | Voltaje de memoria | 1.5 V | | Configuración de módulos | 256M x 8 | | Placa de plomo | Oro | | Certificación | RoHS |
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| Otros conceptos de búsqueda: DDR3 RAM, Memoria DDR3 RAM, Conector de baja tensión, Conectores de baja tensión, Módulos de contactos, Insertos de contacto, Módulo de contactos, Módulos de insertos de contactos, Memoria de ordenador portátil, Memorias de ordenadores portátiles, Memoria de portátil, Memorias de portátiles, Módulo de respaldo, Módulo de búfer, Módulos de búfer, Módulos de respaldo, Memoria del servidor, ddr ram, RAM, ROM, DRAM, SDRAM, RDRAM, DDR, DDR2, EDO DRAM, EDO, DDR2-SDRAM, FPM RAM, FBDIMM, Boot Rom, ValueRAM, SODIMM, JetRAM, memory kit |
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