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| N.º art.:
CIES9-12437348 N.º fabricante:
TS512MLK64V6N EAN/GTIN:
760557821328 |
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| Más información: Otras características | Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 | Características | Memoria interna | 4 GB | | Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 2 x 8 GB | | Tipo de memoria interna | DDR3 | | Velocidad de memoria del reloj | 1600 MHz | | Forma de factor de memoria | 240-pin DIMM | | Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) | | Latencia CAS | 11 | | Clasificación de memoria | 2 | | Voltaje de memoria | 1.5 V | | Configuración de módulos | 256M x 8 | Condiciones ambientales | Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: DDR3 RAM, Memoria DDR3 RAM, Memoria de ordenador de escritorio, Memorias de ordenador de escritorio, Memoria PC de escritorio, Memorias PC de escritorio, Módulos de contactos, Insertos de contacto, Módulo de contactos, Módulos de insertos de contactos, Módulo de respaldo, Módulo de búfer, Módulos de búfer, Módulos de respaldo, RAM ECC, Memoria del servidor, módulo de respaldo, RAM, ROM, DRAM, SDRAM, RDRAM, DDR, DDR2, EDO DRAM, EDO, DDR2-SDRAM, FPM RAM, FBDIMM, Boot Rom, ValueRAM, SODIMM, JetRAM, memory kit |
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