N.º art.: 9RQRV-30341171
N.º fabricante: BFR182E6327HTSA1
EAN/GTIN: Sin datos
RF Transistor, Type=BFR182E6327HTSA1, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=-999, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=-999, Collector-Base Voltage (Vcbo)=20 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=12 V, Continuous Collector Current (Ic)=35 mA, DC Current Gain (hFE)=100, Emitter-Base Voltage (Vebo)=2 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=250 mW, Transit Frequency=8 GHz, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SC-59, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=NPN
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