N.º art.: 9RQRV-30283859
N.º fabricante: BFR181E6327HTSA1
EAN/GTIN: Sin datos
RF Transistor, Type=BFR181E6327HTSA1, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=-999, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=-999, Collector-Base Voltage (Vcbo)=20 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=12 V, Continuous Collector Current (Ic)=20 mA, DC Current Gain (hFE)=100, Emitter-Base Voltage (Vebo)=2 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-65 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=175 mW, Transit Frequency=8 GHz, Configuration=Single, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-23, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=NPN
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