N.º art.: 9RQRV-30253457
N.º fabricante: IXYN82N120C3H1
EAN/GTIN: 5059041660952
IGBT, Type=IXYN82N120C3H1, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=3.2 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=1.2 kV, Continuous Collector Current (Ic)=105 A, Emitter Leakage Current=100 nA, Gate Emitter Voltage (Vge)=20 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=4, Power Dissipation (Pd)=500 W, Reflow Temperature Max.=260 °C, Configuration=Single, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-227B, Packaging=Tube
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Country of origin:
PH
Customs tariff number:
8541100000
Height:
5 mm
Net weight:
29 g
Depth:
38 mm
Gross weight:
29 g
Width:
26 mm
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