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IGBT, 1.2kV, 200A, TO-247


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Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-30253450
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXYH82N120C3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
IGBT, Type=IXYH82N120C3, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=3.2 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=1.2 kV, Continuous Collector Current (Ic)=200 A, Emitter Leakage Current=100 nA, Gate Emitter Voltage (Vge)=20 V, Operating Temperature Max.=175 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=1.25 kW, Reflow Temperature Max.=260 °C, Configuration=Single, Mounting Type=Through Hole, Package Type=TO-247, Packaging=Tube
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Country of origin:
PH
Customs tariff number:
8541100000
Height:
5 mm
Depth:
41 mm
Gross weight:
6 g
Width:
16 mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, IGBT
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Accesorios
Convertidor dc-dc 2W, Salida -8.7V dc, 40mA, 0.07
Murata
MGJ2D051509SC
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Accesorios
Convertidor dc-dc 3W, Salida 5V dc, 120mA, 0.1
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
a partir de € 17,573*
Accesorios
Convertidor dc-dc 3W, Salida 5V dc, 120mA, 0.1
Murata
MGJ3T05150505MC-R7
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