N.º art.: 9RQRV-30156746
N.º fabricante: SIHD2N80AE-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
E-Series Power Mosfet, Type=SIHD2N80AE-GE3, Continuous Drain Current (Id)=2.9 A, Drain-Source Voltage (Vds)=800 V, Fall Time=23 ns, Gate-Source Voltage=30 V, ON Resistance (Rds(on))=2.5 Ω, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=62.5 W, Reflow Temperature Max.=260 °C, Rise Time=8 ns, Turn-OFF Delay Time=10 ns, Turn-ON Delay Time=13 ns, Configuration=Single, Mounting Type=SMD, Package Type=TO-252, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=N-Channel
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541290000
Height:
2 mm
Depth:
6 mm
Gross weight:
0,4 g
Width:
5 mm
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