N.º art.: 9RQRV-17102993
N.º fabricante: NTE102A
EAN/GTIN: 768249005414
Germanium Complementary Transistor, Type=NTE102A, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=-999, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=170 mV, Collector-Base Voltage (Vcbo)=32 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=-999, Continuous Collector Current (Ic)=1 A, DC Current Gain (hFE)=69, Emitter-Base Voltage (Vebo)=10 V, Operating Temperature Max.=90 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=650 mW, Configuration=Single, Mounting Type=Through Hole, Package Type=TO1, Transistor Polarity=PNP
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541210000
Country of origin:
JP
Customs tariff number:
8541210000
Height:
15 mm
Depth:
60 mm
Gross weight:
3 g
Width:
15 mm
Otros conceptos de búsqueda: Germanium Complementary Transistor
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