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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,1A; 4,06W; TO252


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,1A; 4,06W; TO252
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,1A; 4,06W; TO252
N.º art.:
     6Q9VB-ZXMN10A11KTC
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     ZXMN10A11KTC
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: TO252
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 3,1A
Resistencia en estado de transferencia: 0,45Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 4,06W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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