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Módulo: IGBT; diodo/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; Trench


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-VS-GT300YH120N
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     VS-GT300YH120N
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Carcasa: Dual INT-A-Pak
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Estructura del semiconductor: diodo/transistor
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 300A
Corriente de colector en impulso: 720A
Montaje eléctrico: atornillado;FASTON terminales
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Tecnología: Trench
Topología: medio puente MOSFET + diodos seriales
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, módulo igbt
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