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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SUD35N10-26P-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SUD35N10-26P-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: TO252
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 35A
Resistencia en estado de transferencia: 37,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 83W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 47nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 40A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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