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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 78A; 190W; TO220


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-STP33N60M6
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP33N60M6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 25A
Resistencia en estado de transferencia: 0,125Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 190W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 33,4nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 78A
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