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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9,6A; 38W; TO251


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9,6A; 38W; TO251
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9,6A; 38W; TO251
N.º art.:
     6Q9VB-SPU03N60C3BKMA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     SPU03N60C3BKMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Carcasa: TO251
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 2A
Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 38W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 2nC
Tecnología: CoolMOS™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 9,6A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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