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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 17,6A; Idm: 60A; 2W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SISH108DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISH108DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 17,6A
Resistencia en estado de transferencia: 6,1mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 30nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±16V
Corriente del drenaje en impulso: 60A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.