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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17,6A; Idm: 60A; 33W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIS434DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIS434DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 17,6A
Resistencia en estado de transferencia: 7,6mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 33W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 40nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 60A
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